按照廣東省發(fā)展改革委通知要求，現(xiàn)圍繞我市半導體及集成電路領域發(fā)展需求，組織開展首批廣東省工程研究中心申報。有關事項通知如下：
一、申報基本條件
（1）申報單位應從事相關產(chǎn)業(yè)領域的技術(shù)研發(fā)，具備良好的產(chǎn)學研合作基礎；擁有一批能夠帶動產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高水平技術(shù)研發(fā)成果和技術(shù)儲備，部分成果已成功實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化；能為省工程研究中心的建設和運行提供資金支持。
（2）工程研究中心建設項目要有明確可行的發(fā)展思路、研發(fā)任務和建設目標；建設方案合理，管理和運行機制規(guī)范；項目要有新增固定資產(chǎn)投資（建筑工程或新購置設備），建設期一般不超過3年。
（3）在本行業(yè)具有較強的影響力，研發(fā)人員總數(shù)不少于50人，其中專職研發(fā)人員不少于30人。
（4）研發(fā)設備原值：設計類不少于1000萬元，制造類不少于3000萬元，
（5）研發(fā)場地不少于2000平方米。
（6）主持（承擔）過省級以上科研計劃或主持（參與）過行業(yè)標準制定。
（7）在深圳市發(fā)改委不存在逾期未驗收的已獲資助項目。
（8）已在市發(fā)改委獲批市級工程研究中心的，本次不得申報同一領域的省級工程研究中心。
二、申報領域
重點資助半導體及集成電路以下領域：
1.芯片設計。（1）圍繞高端芯片研發(fā)設計需要，建設芯片設計工具軟件研發(fā)和測試平臺，開展數(shù)字電路EDA工具核心技術(shù)攻關，推動模擬或數(shù)?；旌想娐稥DA工具軟件實現(xiàn)設計全覆蓋，開展EDA云上架構(gòu)和應用AI技術(shù)研發(fā)，開展TCAD、封裝EDA工具開發(fā)，以及底層算法與機構(gòu)技術(shù)的研發(fā)，提升自主研發(fā)工具軟件國產(chǎn)化水平，增強對高端芯片設計的服務功能。（2）面向重點領域高端通用芯片的市場需求，建設芯片設計研發(fā)、模擬仿真和測試平臺，開展射頻芯片（含毫米波芯片）、第三代半導體芯片、傳感器芯片、基帶芯片、光通信芯片、顯示驅(qū)動芯片、物聯(lián)網(wǎng)智能硬件核心芯片、車規(guī)級AI芯片等專用芯片設計，探索開展太赫茲芯片研發(fā)，提升高端芯片設計能力和工程化驗證能力。
2.芯片工藝制程。圍繞高端芯片生產(chǎn)制造關鍵環(huán)節(jié)問題，建設芯片生產(chǎn)制造關鍵技術(shù)研發(fā)、中試和測試平臺，開展FinFET特色工藝制程、先進工藝制程開發(fā)，探索FDSOI等新技術(shù)路徑開發(fā)，提升芯片生產(chǎn)制造技術(shù)水平，滿足射頻芯片、顯示驅(qū)動等產(chǎn)品生產(chǎn)制造需求。
3.先進封裝測試。圍繞提升芯片封裝測試競爭力，建設先進封裝測試研發(fā)和工程化驗證平臺，開展晶圓級封裝、系統(tǒng)級封裝、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級扇出型封裝、三維封裝、真空封裝等先進封裝技術(shù)，以及脈沖序列測試、MEMS探針、IC集成探針卡等先進晶圓級測試技術(shù)開發(fā)，開展超高速光通信核心器件與模塊封測技術(shù)開發(fā)，為封裝測試工藝技術(shù)升級和產(chǎn)能提升提供重要研發(fā)平臺支撐。
4.關鍵材料與器件。針對半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)關鍵材料及器件薄弱環(huán)節(jié)，建設關鍵材料與器件研發(fā)及工程化驗證平臺，開展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鎵等第三代半導體材料以及化合物半導體器件和模塊的開發(fā)，開展氟聚酰亞胺、光刻膠等電子化學品材料以及納米級陶瓷粉體、微波陶瓷粉體等元器件關鍵材料研發(fā)，著力提升關鍵材料與器件在芯片生產(chǎn)制造中的市場應用水平。
5.關鍵裝備與零部件。針對芯片生產(chǎn)制造中關鍵設備及零部件短板問題，建設芯片生產(chǎn)制造關鍵設備及零部件研發(fā)及工程化驗證平臺，開展光學和電子束光刻機關鍵部件、先進封裝技術(shù)專用設備研發(fā)，開展缺陷檢測設備、激光加工設備、半導體器件巨量組裝設備等整機設備研發(fā)，以及高精密陶瓷零部件、射頻電源、高速高清投影鏡頭等設備關鍵零部件研發(fā)，推動關鍵設備及零部件在芯片生產(chǎn)制造中的應用。
6.前沿技術(shù)綜合創(chuàng)新。面向半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展趨勢，建設新一代半導體及集成電路綜合研發(fā)平臺，圍繞工具軟件、芯片架構(gòu)、芯片設計、特色工藝制程、半導體新材料、生產(chǎn)設備核心部件等環(huán)節(jié)，開展關鍵核心技術(shù)攻關，積極開展混合集成、異構(gòu)集成等技術(shù)研發(fā)，加強多種技術(shù)路線探索，加速先進適用技術(shù)在半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)領域的產(chǎn)業(yè)化應用。
三、申報時間：2020年7月31日至8月9日，逾期不再受理。