集成電路及裝備是新一代信息技術(shù)發(fā)展的重要方向，陜西在集成電路和半導(dǎo)體器件領(lǐng)域研發(fā)優(yōu)勢(shì)明顯，產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)雄厚。為不斷鞏固和提升我省優(yōu)勢(shì)地位，加快推進(jìn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，經(jīng)陜西省科技重大專項(xiàng)聯(lián)席會(huì)議第三次會(huì)議審議決定，啟動(dòng)實(shí)施陜西省“新一代信息技術(shù)”領(lǐng)域科技重大專項(xiàng)。根據(jù)重大專項(xiàng)實(shí)施方案的總體部署，按照“成熟一項(xiàng)，論證一項(xiàng)，啟動(dòng)一項(xiàng)”的原則，現(xiàn)發(fā)布陜西省“高端集成電路與先進(jìn)半導(dǎo)體器件”科技重大專項(xiàng)第一批課題申報(bào)指南。
一、專項(xiàng)總體目標(biāo)
本重大專項(xiàng)面向國(guó)家在新一代信息技術(shù)、新材料、節(jié)能環(huán)保、智能制造領(lǐng)域?qū)Ω叨思呻娐泛拖冗M(jìn)半導(dǎo)體器件的迫切需求，結(jié)合陜西省集成電路和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的現(xiàn)實(shí)需要，瞄準(zhǔn)全球技術(shù)和產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)，以先進(jìn)半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體關(guān)鍵材料、高性能極大規(guī)模集成電路為核心，通過重大核心關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)及典型應(yīng)用示范，推動(dòng)我省集成電路與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，為落實(shí)“中國(guó)制造2025”、“互聯(lián)網(wǎng)+”、“寬帶中國(guó)”等重大戰(zhàn)略目標(biāo)提供科技支撐。
二、總體布局及要求
（一）本重大專項(xiàng)共設(shè)置了先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造技術(shù)研發(fā)、關(guān)鍵半導(dǎo)體材料制備技術(shù)研發(fā)、高端極大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)和制造等3個(gè)研究方向。
（二）本批擬啟動(dòng)高端集成電路與先進(jìn)半導(dǎo)體器件專項(xiàng)中3個(gè)項(xiàng)目，共4個(gè)課題（其中2.1課題采取定向委托方式，指南不對(duì)外發(fā)布）。每個(gè)課題原則上僅支持1項(xiàng)。
（三）申報(bào)要求
1．申報(bào)統(tǒng)一按指南二級(jí)標(biāo)題（如：1.2）的課題研究任務(wù)進(jìn)行申報(bào)。研究?jī)?nèi)容應(yīng)涵蓋標(biāo)題下指南所列全部研究?jī)?nèi)容，可提出超出指南所列研究?jī)?nèi)容，但占比不得超出20%。申報(bào)課題應(yīng)達(dá)到或高于指南所列考核指標(biāo)。
2．課題下設(shè)子課題數(shù)不超過4個(gè)，每個(gè)課題參研單位原則上不超過6個(gè)，課題設(shè)1名課題負(fù)責(zé)人，課題中每個(gè)子課題設(shè)1名子課題負(fù)責(zé)人。
3．課題由龍頭骨干企業(yè)、高新技術(shù)企業(yè)或企業(yè)化運(yùn)行的新型研發(fā)機(jī)構(gòu)牽頭申報(bào)。鼓勵(lì)牽頭單位與高校、科研院所聯(lián)合申報(bào)。子課題承擔(dān)單位或參與單位不限為本省法人單位。
4．課題采取“競(jìng)爭(zhēng)擇優(yōu)”方式評(píng)審立項(xiàng)，省財(cái)政資助不超過課題的總經(jīng)費(fèi)30%,立項(xiàng)后按實(shí)施進(jìn)度給予事前資助。
5．課題執(zhí)行期：48個(gè)月，具體執(zhí)行時(shí)間以科技重大專項(xiàng)課題任務(wù)書簽署時(shí)間為準(zhǔn)。
6．陜西省科技重大專項(xiàng)聚焦產(chǎn)品或產(chǎn)業(yè)化目標(biāo),原則要求課題完成時(shí)技術(shù)就緒度達(dá)到7—9級(jí)。
7.課題進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段（7級(jí)及以上），牽頭單位須聯(lián)合省內(nèi)上下游配套企業(yè)參與實(shí)施。
三、重點(diǎn)任務(wù)
項(xiàng)目1：先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造技術(shù)研發(fā)
1.1課題：面向5G通信應(yīng)用的高效率大功率GaN微波器件
(一)課題研究?jī)?nèi)容：面向新一代5G通信應(yīng)用領(lǐng)域，開展具有高效率、大功率的新型GaN射頻功率器件研究，針對(duì)大柵寬器件模型準(zhǔn)確度需求，在可縮放模型基礎(chǔ)上建立有源補(bǔ)償子電路，有效提高GaN器件大信號(hào)模型仿真準(zhǔn)確度；針對(duì)高效率基站發(fā)射模塊需求，研究GaN器件的諧波阻抗特性，開展諧波特性仿真與匹配方法研究，進(jìn)一步提升器件效率指標(biāo)；針對(duì)大功率GaN器件散熱需求，開展密集型源極通孔技術(shù)研究，結(jié)合器件關(guān)鍵參數(shù)，實(shí)現(xiàn)器件工作結(jié)溫優(yōu)化。
（二）課題考核指標(biāo)：研制出滿足5G通信基站應(yīng)用要求的S波段高效率、大功率GaN微波功率器件，并在5G通信基站中進(jìn)行試用，器件技術(shù)水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn)，工作頻率2.5-2.7GHz，輸出功率大于80W，功率附加效率大于60％，功率增益大于15dB，頻帶寬度大于200MHz。微波功率器件的制造成品率大于85%。課題完成后，新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)銷售收入2000萬元/年。
項(xiàng)目2. 關(guān)鍵半導(dǎo)體材料制備技術(shù)研發(fā)
2.2課題：面向新一代顯示應(yīng)用的OLED材料制備及面板技術(shù)
（一）課題研究?jī)?nèi)容：（1）針對(duì)OLED發(fā)光層紅光、綠光材料依賴磷光材料壽命較長(zhǎng)，藍(lán)光材料為有機(jī)材料壽命較短的不均衡問題，研究全有機(jī)化合物三線態(tài)和單線態(tài)激子轉(zhuǎn)化效能提高機(jī)理，突破單線態(tài)25%效能發(fā)光限制，實(shí)現(xiàn)紅、綠、藍(lán)發(fā)光材料全有機(jī)化，解決OLED壽命問題。（2）針對(duì)OLED現(xiàn)有的蒸鍍工藝材料浪費(fèi)大，不便于大尺寸操作的問題，研究分子結(jié)構(gòu)與功能和可溶性的對(duì)應(yīng)關(guān)系，開發(fā)出相關(guān)墨水產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)咖啡環(huán)效應(yīng)對(duì)性能影響的最小化。（3）研究QD作為發(fā)光層對(duì)其余功能層的特殊要求，突破無機(jī)QD材料與有機(jī)功能層界面問題，解決雙介質(zhì)界面載流子傳輸難題。（4）開發(fā)高輝度與廣色域染料色阻、高透光白色光阻、高遷移靶材、長(zhǎng)效使用的蝕刻液、高解析光刻膠、高透光低阻抗透明電極、高穿透率抗UV的短波長(zhǎng)藍(lán)光吸收材料、高效藍(lán)光光材料、高遷移電子與電洞材料、高透明的封裝材料等。（5）開發(fā)和整合工藝制程，包括金屬氧化物半導(dǎo)體制程、有機(jī)材料蒸鍍、金屬材料蒸鍍、有機(jī)發(fā)光器件封裝工藝、關(guān)鍵膜片貼合工藝、激光切割等；（6）開發(fā)模組機(jī)構(gòu)，包括散熱疊構(gòu)、光學(xué)效能提升等；（7）開發(fā)驅(qū)動(dòng)信號(hào)處理技術(shù)，包括信號(hào)補(bǔ)償、亮度不均勻消除（De-mura）、系統(tǒng)信號(hào)整合等；（8）開發(fā)面板技術(shù)，包括驅(qū)動(dòng)背板、顯示單元、發(fā)光單元、封裝保護(hù)等。
(二)課題考核指標(biāo)：（1）紅光OLED發(fā)光指標(biāo)：電壓≤3.5V，效率＝70cd/A （@ RX＞0.683~0.685），壽命≥1600hr (T95) (@6000nit)；綠光OLED發(fā)光指標(biāo)：電壓≤3.5V，效率＝170cd/A （@ GX≤0.240），壽命≥1200hr(T95) (@10000nit)；藍(lán)光OLED發(fā)光指標(biāo)：電壓＜4 V，效率＞7 .5cd/A （@ CIEy=0.045），壽命LT95＞1000 hr（@1200 nit）；（2）印刷制程的功能層材料指標(biāo)：噴墨墨水的粘度為3-15cP和表面張力的調(diào)控；（3）搭配QD材料使用的功能層材料指標(biāo)：色彩表現(xiàn)力好，覆蓋的色域大于100%NTSC；發(fā)光效率高，量子效率高達(dá)90%，光穩(wěn)定性好；壽命長(zhǎng)。（4）可以搭配3T1C驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償?shù)母叻€(wěn)定性金屬氧化物半導(dǎo)體(μ≥10cm2/Vs, Vth -1.5~2V，Ion/Ioff≥108V, SS≤0.4V/decade；穩(wěn)定性PBTS(VGS/VDS=20/0V, temp.=70℃, stress time=7200s) Vth shift≤1V，NBTS(VGS/VDS=-20/0V, temp.=70℃, stress time=7200s) Vth shift≤1V，NBTIS(VGS/VDS=-20/0V, temp.=70℃, light=2000nits, stress time=7200s) Vth shift≤3V)；（5）白光器件:12V 90cd/A,色轉(zhuǎn)換層NTSC>90%,輝度>60%；（6）65" 8K OLED TV產(chǎn)品規(guī)格:解析度(120 ppi)、開口率(≥40%)、色溫與亮度(6500K/400nits)、驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償(3T1C+外補(bǔ)償訊號(hào))；信賴性則需保證在高低溫沖擊環(huán)境下-20/80℃，放置10天后仍能夠正常點(diǎn)亮且無明顯新增的壞點(diǎn)；（7）課題完成后，新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)銷售收入10億元/年。
項(xiàng)目3：高端極大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)和制造
3.1課題：新一代動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和面向極端環(huán)境的存儲(chǔ)器控制芯片
（一）課題研究?jī)?nèi)容：（1）研究新一代高速、大容量、低功耗動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，重點(diǎn)突破存儲(chǔ)器架構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)、新一代存儲(chǔ)器高速接口技術(shù)、高性能數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)、內(nèi)嵌自檢測(cè)修復(fù)技術(shù)和電源功耗管理等技術(shù)，研究循環(huán)冗余碼校驗(yàn)、溫度控制刷新、讀寫時(shí)序自動(dòng)校準(zhǔn)、多種自刷新模式、免疫功能和提高可靠性支持封裝后再修復(fù)等技術(shù)。實(shí)現(xiàn)自主內(nèi)存芯片產(chǎn)品，兼容國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。（2）面向我國(guó)航空航天艦船軍工及高端工業(yè)領(lǐng)域?qū)M足極限環(huán)境下高可靠性存儲(chǔ)系統(tǒng)自主可控的需求，研究：1）高可靠性存儲(chǔ)設(shè)備控制芯片，適應(yīng)航天航空等高可靠性環(huán)境，具有超強(qiáng)數(shù)據(jù)糾錯(cuò)能力、多級(jí)冗余容災(zāi)機(jī)制、端到端保護(hù)以及SRAM、DRAM糾錯(cuò)等能力。研究遙感數(shù)據(jù)專用通訊協(xié)議，擺脫SATA/PCIe等美國(guó)主導(dǎo)的通用存儲(chǔ)協(xié)議限制，提高遙感數(shù)據(jù)接口協(xié)議傳輸效率。兼容通用SATA/PCIe接口，能夠適配通用存儲(chǔ)設(shè)備需求，提高市場(chǎng)化能力。2）研究智能化存儲(chǔ)陣列控制芯片，滿足光學(xué)遙感、雷達(dá)數(shù)據(jù)等高速數(shù)據(jù)采集需求；研究存儲(chǔ)陣列多通道并行處理、冗余備份等陣列管理技術(shù)，能夠同時(shí)兼容微小衛(wèi)星及大衛(wèi)星存儲(chǔ)系統(tǒng)需求；研究具有高擴(kuò)展性及高可靠性的星載文件系統(tǒng)技術(shù)；研究基于存算一體化的在軌（機(jī)載）遙感數(shù)據(jù)時(shí)空網(wǎng)格化協(xié)處理器技術(shù)；研究在軌(機(jī)載)遙感數(shù)據(jù)網(wǎng)格化管理技術(shù)。
（二）課題考核指標(biāo)：（1）存儲(chǔ)器指標(biāo)：采用先進(jìn)的25nm或以下先進(jìn)DRAM工藝，基于高端三維集成工藝，開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)DRAM存儲(chǔ)芯片。容量不低于8Gb，接口數(shù)據(jù)規(guī)格支持X8和X16，數(shù)據(jù)速率不低于2666Mbps，雙供電電壓分別不高于1.2V和2.5V。所開發(fā)產(chǎn)品兼容國(guó)際JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。申請(qǐng)相關(guān)核心發(fā)明專利不少于10項(xiàng)，集成電路布圖登記不少于1項(xiàng)。（2）存儲(chǔ)設(shè)備控制芯片指標(biāo)：支持SATA、PCIe、高速傳感器數(shù)據(jù)專用等高速總線接口，數(shù)據(jù)通訊總帶寬不少于12Gpbs；支持不少于1KB/80bit的ECC糾錯(cuò)引擎；支持NAND控制器多片、多通道RAID容錯(cuò)；雙核高性能RISC處理器，主頻大于400MHz，支持面向應(yīng)用的智能數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)管理；支持2D/3D多種存儲(chǔ)芯片，片選數(shù)目不小于48個(gè)；具有端到端保護(hù)，SRAM/DDR糾錯(cuò)功能；-55~+125攝氏度工作溫度；總劑量輻射能力（參數(shù)和功能）:100KRADs（Si）；單粒子閂鎖效應(yīng)優(yōu)于（LET）75 MeV-cm2/mg；單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)優(yōu)于1E-4Error/Component/Day；集成溫度傳感器和電壓檢測(cè)器，有效監(jiān)測(cè)和監(jiān)控內(nèi)部溫度和外部電壓的異常,提高控制器可靠性。（3）智能化存儲(chǔ)陣列控制芯片性能指標(biāo)：支持通用SATA/PCIE及基于上述高可靠性存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)設(shè)備不小于10個(gè)；陣列總帶寬不低于120Gbps；存儲(chǔ)容量不低于120TByte；具有遙感數(shù)據(jù)文件管理能力；具有遙感數(shù)據(jù)網(wǎng)格化管理能力；陣列通道具備RAID5數(shù)據(jù)保護(hù)能力；陣列通道具備冗余備份管理能力。（4）課題完成后，新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)銷售收入1億元/年。