根據(jù)《廣東省省級(jí)財(cái)政資金項(xiàng)目庫(kù)管理辦法（試行）》（粵財(cái)預(yù)〔2018〕263號(hào)）、《關(guān)于印發(fā)省工業(yè)和信息化廳經(jīng)管專(zhuān)項(xiàng)資金管理辦法的通知》（粵財(cái)工〔2019〕115號(hào)）、《廣東省工業(yè)和信息化廳辦公室關(guān)于印發(fā)省級(jí)財(cái)政資金項(xiàng)目庫(kù)管理辦法的通知》（粵工信辦函〔2020〕25號(hào)）、《廣東省財(cái)政廳關(guān)于做好2022年省級(jí)財(cái)政資金項(xiàng)目入庫(kù)儲(chǔ)備工作的函》（粵財(cái)預(yù)〔2021〕30號(hào)）等要求，現(xiàn)組織2022年省級(jí)促進(jìn)經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展專(zhuān)項(xiàng)資金（新一代信息技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展）支持電子信息產(chǎn)業(yè)方向項(xiàng)目入庫(kù)，有關(guān)事項(xiàng)轉(zhuǎn)載如下：
支持方向：
方向1：高端電子元器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，此專(zhuān)題同一主體每年只能申報(bào)一個(gè)項(xiàng)目，獎(jiǎng)補(bǔ)資金不超過(guò)1000萬(wàn)元。
方向2：芯片產(chǎn)品量產(chǎn)前首輪流片項(xiàng)目，同一主體每年獎(jiǎng)補(bǔ)的研發(fā)資金不超過(guò)1000萬(wàn)元。
申報(bào)總體要求:
(一)申報(bào)主體是在廣東省行政區(qū)域內(nèi)注冊(cè)、具有獨(dú)立法人資格的企(事)業(yè)法人單位。申報(bào)單位不得為失信被執(zhí)行人(以“信用中國(guó)”網(wǎng)站查詢結(jié)果為準(zhǔn))，近5年以來(lái)未發(fā)生重大安全、環(huán)保、質(zhì)量事故。近5年以來(lái)申報(bào)主體在專(zhuān)項(xiàng)資金管理、專(zhuān)項(xiàng)審計(jì)、績(jī)效評(píng)價(jià)、監(jiān)督檢查等方面未出現(xiàn)過(guò)較為嚴(yán)重的違法違規(guī)情況，且不存在未按期完成財(cái)政專(zhuān)項(xiàng)資金扶持項(xiàng)目驗(yàn)收的情況。
(二)項(xiàng)目實(shí)施必須在廣東省境內(nèi)，應(yīng)用基礎(chǔ)較好，具有行業(yè)發(fā)展需求和一定規(guī)模的客戶群體。
(三)項(xiàng)目已經(jīng)完工，且有明確、量化的經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)效益，績(jī)效目標(biāo)應(yīng)可考核、可量化，且符合省財(cái)政專(zhuān)項(xiàng)資金和地市的績(jī)效目標(biāo)要求。
(四)項(xiàng)目原則上未獲得過(guò)省財(cái)政資金專(zhuān)項(xiàng)支持，未申請(qǐng)省級(jí)財(cái)政資金其它項(xiàng)目入庫(kù)。

(五)項(xiàng)目只有一個(gè)申報(bào)主體，不允許聯(lián)合申報(bào)。

申報(bào)時(shí)間：

各地級(jí)以上市工業(yè)和信息化局積極組織本地區(qū)項(xiàng)目庫(kù)的申報(bào)，結(jié)合本地區(qū)實(shí)際發(fā)布項(xiàng)目申報(bào)通知，并于6月30日前在廣東省工業(yè)和信息化廳財(cái)政專(zhuān)項(xiàng)資金管理系統(tǒng)完成本地區(qū)項(xiàng)目申報(bào)配置。

高端電子元器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目申報(bào)指南

一、支持范圍
申報(bào)支持的工程產(chǎn)品包括高端片式電容器、高端片式電阻器、高端片式電感器以及重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域具備較大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的其他高端電子元器件及相關(guān)材料，申請(qǐng)時(shí)須滿足下列條件之一：
（一）高端片式電容器
1.超微型片式多層陶瓷電容器（產(chǎn)品尺寸不大于01005）
2.高容量片式多層陶瓷電容器（產(chǎn)品尺寸不大于0805且容量不小于22uF或產(chǎn)品尺寸不大于0201且容量不小于1uF）
3.超高壓片式多層陶瓷電容器（產(chǎn)品尺寸不大于3535且容量不小于100pF且額定電壓不小于6000V）
4.高頻低損耗多層片式電容器（產(chǎn)品尺寸不大于0603且容量不小于10nF或產(chǎn)品尺寸不大于1206且容量不小于100nF）
5.耐高溫片式多層陶瓷電容器（X8R、X8L、X8G）
6.微波陶瓷電容器（自諧振頻率不小于28GHz）
7.微波芯片電容器（自諧振頻率不小于28GHz）
8.車(chē)規(guī)級(jí)片式多層陶瓷電容器
（二）高端片式電阻器
9.超微型片式電阻器(產(chǎn)品尺寸不大于01005）
10.薄膜片式電阻器（阻值范圍50Ω~5kΩ且溫度系數(shù)不大于10ppm/℃）
11.高可靠性抗硫化片式電阻器（油浴恒溫105℃±3℃下抗硫化能力大于1000小時(shí)）
12.高壓片式多層壓敏電阻器（靜電容量不大于0.5pF且產(chǎn)品尺寸不大于0201且工作電壓不小于220VAC）
13.高精度片式NTC熱敏電阻器（B值不小于3000且阻值精度不大于1%）
14.車(chē)規(guī)級(jí)片式電阻器
（三）高端片式電感器
15.超微型片式電感器（產(chǎn)品尺寸不大于01005）
16.超大電流片式電感器（產(chǎn)品尺寸不大于0805且感量不小于4.7uH時(shí)工作電流不小于0.5A）
17.超高Q值繞線陶瓷電感器（產(chǎn)品尺寸不大于0201且測(cè)試頻率500MHz時(shí)Q值大于30）
18.微型片式共模電感器（產(chǎn)品尺寸不大于0605且共模阻抗370Ω且測(cè)試頻率2GHz時(shí)插損不大于1.5dB）
19.微波芯片電感器（測(cè)試頻率2GHz時(shí)Q值不小于36）
20.車(chē)規(guī)級(jí)片式電感器
（四）其他高端電子元器件
21.射頻濾波器（SAW、BAW）
22.高端光掩模（28nm及以下工藝制程）
23.光通信器件（200GHz電信級(jí)鈮酸鋰光調(diào)制器）
24.4K/8K廣播級(jí)視頻編解碼模組（圖像分辨率不小于3840X2160且?guī)什簧儆?0fps且色域支持BT.2020且高動(dòng)態(tài)范圍支持HLG且具備HDMI2.1或SDI接口）
25.高端高密度封裝基板（FCCSP、FCBGA、Embedded SIP、FOSIP）
26.電子電路銅箔（4OZ及以上超厚銅箔且抗拉強(qiáng)度≥18kg/mm2@180℃且抗剝離強(qiáng)度≥2.5kg/cm、RTF銅箔抗拉強(qiáng)度≥20kg/mm2@180℃且抗剝離強(qiáng)度1.4kg/cm）
27.高頻高速覆銅板（剛性板Dk≤3.5@5GHz且Df≤0.004@5GHz、柔性板Dk≤2.8@28GHz且Df≤0.0015@28GHz）
二、專(zhuān)題申報(bào)條件
申報(bào)單位和項(xiàng)目除應(yīng)符合入庫(kù)通知正文的總體要求外，還應(yīng)符合以下專(zhuān)題申報(bào)要求：
（一）至2021年5月31日，申報(bào)主體注冊(cè)成立已滿至少一個(gè)完整會(huì)計(jì)年度（以營(yíng)業(yè)執(zhí)照為準(zhǔn)）。
（二）申報(bào)主體要求以電子元器件及相關(guān)材料制造為主營(yíng)業(yè)務(wù)，且制造銷(xiāo)售（營(yíng)業(yè)）收入占企業(yè)收入總額的比例不低于60%（以有資質(zhì)的會(huì)計(jì)師事務(wù)所提供的最近一個(gè)完整年度審計(jì)報(bào)告為準(zhǔn)）。
（三）項(xiàng)目啟動(dòng)時(shí)間不早于2019年8月1日，完工時(shí)間不遲于2021年5月31日（以發(fā)票和支付憑證時(shí)間為準(zhǔn)，申報(bào)單位提供完工情況說(shuō)明，地市工業(yè)和信息化局出具項(xiàng)目完工證明）。
（四）申報(bào)項(xiàng)目必須符合本指南支持范圍所列條件之一（以具備CNAS認(rèn)可資質(zhì)且具備CMA認(rèn)資資質(zhì)的第三方機(jī)構(gòu)提供的檢測(cè)報(bào)告為準(zhǔn)）。
（五）項(xiàng)目在上述時(shí)間內(nèi)投入的產(chǎn)業(yè)化費(fèi)用（僅限于設(shè)備購(gòu)置費(fèi)、配套軟件購(gòu)置費(fèi)、設(shè)備軟件安裝調(diào)試費(fèi)、研發(fā)材料購(gòu)置費(fèi)、自研設(shè)備外協(xié)加工費(fèi)、工程樣品測(cè)試費(fèi)，不含稅，且必須是用于本項(xiàng)目的合理費(fèi)用，以有資質(zhì)的會(huì)計(jì)師事務(wù)所提供的項(xiàng)目開(kāi)支專(zhuān)項(xiàng)審計(jì)報(bào)告為準(zhǔn)，相關(guān)發(fā)票、支出憑證和銀行對(duì)賬單的時(shí)間要對(duì)應(yīng)）不低于500萬(wàn)元。
（六）項(xiàng)目產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化（以產(chǎn)品銷(xiāo)售合同、發(fā)票和支付憑證為準(zhǔn)）。
（七）項(xiàng)目具有核心關(guān)鍵技術(shù)和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，需新增發(fā)明專(zhuān)利或技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)等（以專(zhuān)利證書(shū)或國(guó)標(biāo)、行標(biāo)、團(tuán)標(biāo)發(fā)布稿為準(zhǔn)）。
三、支持方式
本方向項(xiàng)目財(cái)政扶持資金采用事后獎(jiǎng)勵(lì)方式，對(duì)符合條件的項(xiàng)目，擇優(yōu)分別按照在2019年8月1日至2021年5月31日期間內(nèi)（以發(fā)票和支付憑證時(shí)間為準(zhǔn)），不超過(guò)已投入產(chǎn)業(yè)化費(fèi)用（按本指南第三點(diǎn)第5條說(shuō)明）30%的標(biāo)準(zhǔn)予以補(bǔ)助,此專(zhuān)題同一主體每年只能申報(bào)一個(gè)項(xiàng)目，獎(jiǎng)補(bǔ)資金不超過(guò)1000萬(wàn)元，具體補(bǔ)助額度根據(jù)年度資金預(yù)算控制指標(biāo)和入庫(kù)項(xiàng)目申請(qǐng)情況等因素確定。

芯片產(chǎn)品量產(chǎn)前首輪流片項(xiàng)目申報(bào)指南

一、支持范圍
申報(bào)芯片產(chǎn)品量產(chǎn)前首輪流片包括采用先進(jìn)特色工藝制程流片的芯片、《若干意見(jiàn)》明確重點(diǎn)發(fā)展方向的芯片、重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域具備較大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的芯片，申請(qǐng)時(shí)須滿足下列條件之一：
（一）采用先進(jìn)特色工藝制程流片的芯片
1.采用28nm及以下制程流片的數(shù)字芯片
2.采用110nm及以下制程流片的模擬芯片或數(shù)模混合芯片
3.采用GaAs、GaN、SiC化合物半導(dǎo)體工藝流片的功率或射頻芯片
4.采用SOI制造工藝流片的芯片
5.采用BCD制造工藝流片的芯片
（二）《若干意見(jiàn)》明確重點(diǎn)發(fā)展方向芯片
6.高端通用芯片【存儲(chǔ)芯片、處理器芯片（CPU、GPU、FPGA、DSP）、信號(hào)鏈芯片（ADC、MCU）】
7.射頻芯片
8.傳感器芯片（采用CMOS、MEMS工藝）
9.基帶芯片
10.交換芯片
11.光通信芯片
12.顯示驅(qū)動(dòng)芯片
13.RISC-V（基于精簡(jiǎn)指令集原則的開(kāi)源指令集架構(gòu)）芯片
14.車(chē)規(guī)級(jí)AI（人工智能）芯片
15.毫米波芯片、太赫茲芯片
（三）重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域具備較大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的芯片
16.5G通信芯片
17.超高清視頻芯片（編解碼芯片、數(shù)據(jù)傳輸芯片、高端CMOS圖像傳感器芯片）
18.物聯(lián)網(wǎng)智能硬件核心芯片（工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)芯片、低功耗廣域網(wǎng)芯片、通訊射頻芯片、身份識(shí)別類(lèi)芯片、物聯(lián)網(wǎng)安全芯片和移動(dòng)支付芯片）
19.生物醫(yī)療芯片(表達(dá)譜芯片、疾病檢測(cè)芯片、商檢芯片、蛋白芯片、基因芯片、細(xì)胞芯片、組織芯片、生物芯片識(shí)別儀、微點(diǎn)陣生物芯片、微流路生物芯片)
二、專(zhuān)題申報(bào)條件
申報(bào)單位和項(xiàng)目除應(yīng)符合入庫(kù)通知正文的總體要求外，還應(yīng)符合以下專(zhuān)題申報(bào)要求：
（一）至2021年5月31日，申報(bào)主體注冊(cè)成立已滿至少一個(gè)完整會(huì)計(jì)年度（以營(yíng)業(yè)執(zhí)照為準(zhǔn)）。
（二）申報(bào)主體為高校、科研院所和集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，其中集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)是指以集成電路設(shè)計(jì)為主營(yíng)業(yè)務(wù)并同時(shí)符合下列條件的企業(yè)：一是擁有核心關(guān)鍵技術(shù)，并以此為基礎(chǔ)開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)；二是集成電路設(shè)計(jì)銷(xiāo)售（營(yíng)業(yè)）收入占企業(yè)收入總額的比例不低于60%且自主設(shè)計(jì)銷(xiāo)售（營(yíng)業(yè)）收入占企業(yè)收入總額的比例不低于50%（以有資質(zhì)的會(huì)計(jì)師事務(wù)所提供的最近一個(gè)完整年度審計(jì)報(bào)告為準(zhǔn)）；三是具有與集成電路設(shè)計(jì)相適應(yīng)的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)場(chǎng)所、軟硬件設(shè)施等開(kāi)發(fā)環(huán)境（如EDA工具、合法的開(kāi)發(fā)工具等），以及與所提供服務(wù)相關(guān)的技術(shù)支撐環(huán)境。
（三）申報(bào)芯片產(chǎn)品量產(chǎn)前首輪流片為首次在集成電路生產(chǎn)線上完成流片，不含正式量產(chǎn)后批量流片，且在2020年8月1日至2021年5月31日期間內(nèi)完成（以發(fā)票和支付憑證時(shí)間為準(zhǔn)）。
（四）申報(bào)項(xiàng)目必須符合本指南支持范圍所列條件之一（以具備CNAS認(rèn)可資質(zhì)且具備CMA認(rèn)資資質(zhì)的第三方機(jī)構(gòu)提供的檢測(cè)報(bào)告為準(zhǔn)）。
（五）芯片產(chǎn)品量產(chǎn)前首輪流片費(fèi)用（僅限于IP授權(quán)或購(gòu)置費(fèi)、掩模版制作費(fèi)、流片費(fèi)，不含稅，且必須是用于本項(xiàng)目的合理費(fèi)用，以有資質(zhì)的會(huì)計(jì)師事務(wù)所提供的項(xiàng)目開(kāi)支專(zhuān)項(xiàng)審計(jì)報(bào)告為準(zhǔn)，相關(guān)發(fā)票、支出憑證和銀行對(duì)賬單的時(shí)間要對(duì)應(yīng)）不低于300萬(wàn)元。
（六）項(xiàng)目產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化（以產(chǎn)品銷(xiāo)售合同、發(fā)票和支付憑證為準(zhǔn)）。
（七）項(xiàng)目具有核心關(guān)鍵技術(shù)和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，申報(bào)的芯片產(chǎn)品已獲得集成電路布圖設(shè)計(jì)登記證書(shū)或已授權(quán)的發(fā)明專(zhuān)利（以國(guó)家、省、市有關(guān)部門(mén)出具的相關(guān)證書(shū)等為準(zhǔn)）。
三、支持方式
本方向項(xiàng)目財(cái)政扶持資金采用事后獎(jiǎng)勵(lì)方式，對(duì)符合條件的項(xiàng)目，擇優(yōu)分別按照不超過(guò)芯片產(chǎn)品量產(chǎn)前首輪流片費(fèi)用（按本指南第三點(diǎn)第5條的說(shuō)明）30%的標(biāo)準(zhǔn)予以補(bǔ)助, 同一主體每年獎(jiǎng)補(bǔ)的研發(fā)資金不超過(guò)1000萬(wàn)元，具體補(bǔ)助額度根據(jù)年度資金預(yù)算控制指標(biāo)和入庫(kù)項(xiàng)目申請(qǐng)情況等因素確定。